| 型号： | FQA8N100C | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| FQA8N100C PDF |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告 | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装 | 30 |
| 系列 | QFET™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.45 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3220pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 225W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3PN |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | FQA8N100C-ND FQA8N100CFS |